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光刻膠處理中的四大烘烤工藝之——HMDS烤箱預烘烤
來源: | 作者:上海雋思半導體設備部 | 發(fā)布時間: 2025-05-27 | 135 次瀏覽 | 分享到:

光刻膠處理中的四大烘烤工藝——基板預烘烤、軟烘、曝光后烘烤與硬烘

涂膠前的烘烤

構建牢靠的膠基結合


   基板表面處理是光刻膠附著的首要環(huán)節(jié)。當溫度升至100°C時,基材表面吸附的水分子(H?O)開始脫附,這一過程能有效消除“水膜屏障”,避免光刻膠與基板間因水分殘留導致的結合力下降。硅、玻璃、石英等氧化表面的羥基(-OH)會導致親水性表面,降低光刻膠附著力,而溫度進一步升至150°C以上時,羥基(-OH)會發(fā)生熱裂解反應,從而進一步提升光刻膠與基板的結合力。

① 低溫段推薦120°C烘烤3-5分鐘,高溫段需避免過久導致基板氧化加劇。

②使用上海雋思HMDS烤箱HMDS增粘劑預處理可達到類似高溫烘烤的效果。

③ 涂膠應在基板冷卻后立即進行以防止水分再吸附,但需確?;寤謴褪覝匾员WC膠膜均勻性。

HMDS烤箱預烘烤工藝

   HMDS烤箱將HMDS涂到半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、碳化硅/硫化鋅/磷化銦/生物晶圓等材料表面后,經烘箱加溫氣相沉積在襯底表面。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)樗?,其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯劑的作用。

   可以很好地改善光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕容易發(fā)生側向腐蝕等煩惱。